原型号
查看详情 · 2 条候选92042022A
Vishay Siliconix
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- DG409DY-E3Vishay Siliconix相似型号
搜索结果
原厂资料
10 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| ZABG4002JA16TC | Diodes Incorporated |
| 2019-06-28 | 查看资料 |
| ADG406BP | Analog Devices |
| 2017-11-21 | 查看资料 |
| ADG406BP-REEL | Analog Devices |
| 2017-11-21 | 查看资料 |
| ADG407BP | Analog Devices |
| 2017-11-21 | 查看资料 |
| ADG408BN | Analog Devices |
| 2017-11-21 | 查看资料 |
| ADG407BN | Analog Devices |
| 2012-04-19 | 查看资料 |
| ADG409BN | Analog Devices |
| 2012-04-19 | 查看资料 |
| ADG409BRU | Analog Devices |
| 2012-04-19 | 查看资料 |
| XC3S400AN-4FG400C4100 | Xilinx (AMD) |
| 查看资料 | |
| XC3S400AN-4FG400I4100 | Xilinx (AMD) |
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第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 27 条候选ADG1308BRZ-REEL7
Analog Devices Inc.
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- DG408CY+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号
原型号
查看详情 · 21 条候选ADG408BR
Analog Devices Inc.
- ADG408BRZAnalog Devices Inc.直接替代候选
原型号
查看详情 · 21 条候选ADG408BR-REEL
Analog Devices Inc.
- ADG408BRZ-REELAnalog Devices Inc.直接替代候选
原型号
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Analog Devices Inc.
- ADG1408YRUZAnalog Devices Inc.相似型号
原型号
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Vishay Siliconix
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原型号
查看详情 · 9 条候选DG309DY-T1-E3
Vishay Siliconix
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原型号
查看详情 · 1 条候选DG384BDJ-E3
Vishay Siliconix
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原型号
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Vishay Siliconix
- DG403DY-T1-E3Vishay Siliconix第三方标注：厂商推荐
原型号
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- DG403DJ-E3Vishay Siliconix相似型号
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
IRFPG40PBF
Vishay Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1 kV、连续漏极电流（Id） 4.3 A、漏源导通电阻（Rds On） 3.5 Ω，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsIXSG40N65L2K
IXYS
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V、连续漏极电流（Id） 43 A，采用 TOLL-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsLCMXO3D-9400HC-5BG400C
Lattice
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 432 kbit、输入／输出数 335 个输入／输出、电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 2.5 V/3.3 V、逻辑单元数 9400 LE，采用 CABGA-400 封装。
半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayLCMXO3D-9400HC-5BG400I
Lattice
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 432 kbit、输入／输出数 335 个输入／输出、电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 2.5 V/3.3 V、逻辑单元数 9400 LE，采用 CABGA-400 封装。
半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayLCMXO3D-9400HC-6BG400C
Lattice
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 432 kbit、输入／输出数 335 个输入／输出、电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 2.5 V/3.3 V、逻辑单元数 9400 LE，采用 CABGA-400 封装。
半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayLCMXO3D-9400HC-6BG400I
Lattice
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 432 kbit、输入／输出数 335 个输入／输出、电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 2.5 V/3.3 V、逻辑单元数 9400 LE，采用 CABGA-400 封装。
半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayLCMXO3D-9400ZC-2BG400C
Lattice
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 432 kbit、输入／输出数 335 个输入／输出、电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 2.5 V/3.3 V、逻辑单元数 9400 LE，采用 CABGA-400 封装。
半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayLCMXO3D-9400ZC-2BG400I
Lattice
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 432 kbit、输入／输出数 335 个输入／输出、电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 2.5 V/3.3 V、逻辑单元数 9400 LE，采用 CABGA-400 封装。
半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayLCMXO3D-9400ZC-3BG400C
Lattice
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 432 kbit、输入／输出数 335 个输入／输出、电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 2.5 V/3.3 V、逻辑单元数 9400 LE，采用 CABGA-400 封装。
半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayLCMXO3D-9400ZC-3BG400I
Lattice
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 432 kbit、输入／输出数 335 个输入／输出、电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.465 V、工作电源电压 2.5 V/3.3 V、逻辑单元数 9400 LE，采用 CABGA-400 封装。
半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate Array