7133SA70J8
Renesas Electronics Corporation
- 7133LA20JG8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
来源:第三方数据源非原厂公告
Renesas Electronics Corporation
Advanced Linear Devices Inc.
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onsemi
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Texas Instruments
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Texas Instruments
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Analog Devices Inc.
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Analog Devices Inc.
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NXP USA Inc.
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Texas Instruments
Sanken Electric USA Inc.
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Microchip Technology
该型号为微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、程序存储容量 2 MB、数据 RAM 容量 512 kB、DAC 分辨率 12 位、输入/输出数 114 个输入/输出、定时器/计数器数 3 x 16 bit,采用 TQFP-144 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > ARM Microcontrollers - MCUMicrochip Technology
该型号为微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、程序存储容量 2 MB、数据 RAM 容量 512 kB、DAC 分辨率 12 位、输入/输出数 114 个输入/输出、定时器/计数器数 1 x 16 bit,采用 TFBGA-144 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > ARM Microcontrollers - MCUMicrochip Technology
该型号为微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、程序存储容量 2 MB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 位、输入/输出数 114 个输入/输出、定时器/计数器数 36 个定时器,采用 TQFP-144 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > ARM Microcontrollers - MCUMicrochip Technology
该型号为微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、程序存储容量 2 MB、数据 RAM 容量 RAM、DAC 分辨率 12 位、输入/输出数 114 个输入/输出、定时器/计数器数 3 x 16 bit,采用 TQFP-144 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > ARM Microcontrollers - MCUMicrochip Technology
该型号为微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、程序存储容量 2 MB、数据 RAM 容量 512 kB、DAC 分辨率 12 位、输入/输出数 114 个输入/输出、定时器/计数器数 3 x 16 bit,采用 TQFP-144 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > ARM Microcontrollers - MCUMicrochip Technology
该型号为微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、程序存储容量 2 MB、数据 RAM 容量 RAM、DAC 分辨率 12 位、输入/输出数 114 个输入/输出、定时器/计数器数 3 x 16 bit,采用 TFBGA-144 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > ARM Microcontrollers - MCUABLIC
主要参数包括电源电压(最大值) 36 V、电源电压(最小值) 1.8 V、类型 Voltage Detectors、输出类型 Active Low, Open Drain、阈值电压 7 V、监控输入数 1 Input,采用 SOT-23-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory CircuitsSanRex
该型号为半导体器件,主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 日本、商品名称 SanRex、单件重量 3.174657 oz。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor ModulesSTMicroelectronics
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅(SiC)、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 1.2 kV、连续漏极电流(Id) 91 A、漏源导通电阻(Rds On) 30 mOhms,采用 HIP247-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsMACOM
RF Amplifier 10-250MHz NF 1.6dB Gain 8.0dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier