PBSS4240XF
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 510 mV，采用 SOT-89-3 封装。
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PBSS4240XX
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该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 80 mV，采用 SOT-89-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4240Y,115
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该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 2 A，采用 UMT-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4240Z-QF
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该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669904135。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4240Z-QX
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该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669904115。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4240ZF
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该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 550 mV，采用 SOT-223-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4240ZX
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该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 550 mV，采用 SOT-223-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4250X,115
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该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 2 A，采用 SOT-89-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4250X,135
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该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 5 A，采用 TO-243-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4250X-QF
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该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934663787135。
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