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原厂资料

10 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
ZABG4002JA16TCDiodes Incorporated
  • ZABG4003JA16TC
2019-06-28查看资料
ADG406BPAnalog Devices
  • ADG406BPZ
2017-11-21查看资料
ADG406BP-REELAnalog Devices
  • ADG406BPZ-REEL
2017-11-21查看资料
ADG407BPAnalog Devices
  • ADG407BPZ
2017-11-21查看资料
ADG408BNAnalog Devices
  • ADG408BNZ
2017-11-21查看资料
ADG407BNAnalog Devices
  • ADG407BNZ
2012-04-19查看资料
ADG409BNAnalog Devices
  • ADG409BNZ
2012-04-19查看资料
ADG409BRUAnalog Devices
  • ADG1409YRUZ
2012-04-19查看资料
XC3S400AN-4FG400C4100Xilinx (AMD)
  • XC3S400AN-4FG400C
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XC3S400AN-4FG400I4100Xilinx (AMD)
  • XC3S400AN-4FG400I
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

33 个原型号
原型号

92042022A

Vishay Siliconix

查看详情 · 2 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • DG409DY-E3Vishay Siliconix相似型号
原型号

ADG1308BRZ-REEL7

Analog Devices Inc.

查看详情 · 27 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • DG408CY+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号
原型号

ADG408BR

Analog Devices Inc.

查看详情 · 21 条候选
  • ADG408BRZAnalog Devices Inc.直接替代候选
原型号

ADG408BR-REEL

Analog Devices Inc.

查看详情 · 21 条候选
  • ADG408BRZ-REELAnalog Devices Inc.直接替代候选
原型号

ADG408BRUZ-REEL

Analog Devices Inc.

查看详情 · 13 条候选
  • ADG1408YRUZAnalog Devices Inc.相似型号
原型号

DG308BDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

查看详情 · 11 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • DG408DQ-T1-E3Vishay Siliconix第三方标注：厂商推荐
原型号

DG309DY-T1-E3

Vishay Siliconix

查看详情 · 9 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • DG409DY-T1-E3Vishay Siliconix第三方标注：厂商推荐
原型号

DG384BDJ-E3

Vishay Siliconix

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • DG409DY-T1-E3Vishay Siliconix第三方标注：厂商推荐
原型号

DG403BDY-E3

Vishay Siliconix

查看详情 · 4 条候选
  • DG403DY-T1-E3Vishay Siliconix第三方标注：厂商推荐
原型号

DG403DJ

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

查看详情 · 1 条候选
  • DG403DJ-E3Vishay Siliconix相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

858 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

GW2AN-UV18XUG400C8/I7

GOWIN Semiconductor

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 335 个输入／输出、电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 3.3 V、工作电源电压 3.3 V。

半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate Array
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GW2AN-UV9XUG400C7/I6

GOWIN Semiconductor

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 335 个输入／输出、电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 3.3 V、工作电源电压 3.3 V。

半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate Array
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HGTG40N60A4

ON Semiconductor / Fairchild

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 600 V、集电极－发射极饱和电压 1.7 V、最大栅射电压 20 V、25°C 时连续集电极电流 75 A，采用 TO-247-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Transistors
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HGTG40N60B3

ON Semiconductor / Fairchild

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 600 V、集电极－发射极饱和电压 1.4 V、最大栅射电压 20 V、25°C 时连续集电极电流 70 A，采用 TO-247-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Transistors
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IMBG40R011M2HXTMA1

Infineon Technologies

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、类型 G2 MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 400 V、连续漏极电流（Id） 133 A。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETs
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IMBG40R015M2HXTMA1

Infineon Technologies

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、类型 G2 MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 400 V、连续漏极电流（Id） 111 A，采用 TO-263-7 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETs
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IMBG40R025M2HXTMA1

Infineon Technologies

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、类型 G2 MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 400 V、连续漏极电流（Id） 68 A，采用 TO-263-7 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETs
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IMBG40R036M2HXTMA1

Infineon Technologies

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、类型 G2 MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 400 V、连续漏极电流（Id） 50 A，采用 TO-263-7 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETs
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IMBG40R045M2HXTMA1

Infineon Technologies

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、类型 G2 MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 400 V、连续漏极电流（Id） 43 A，采用 TO-263-7 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETs
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IRFPG40PBF

Vishay / Siliconix

主要参数包括技术 Si、高度 20.82 mm、长度 15.87 mm、宽度 5.31 mm、单件重量 1.340411 oz，采用 TO-247-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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