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搜索结果

原厂资料

5 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
HX21333002Diodes Incorporated
  • HX2A333003
2024-06-25查看资料
KA339onsemi
  • LM339DR2G
2019-11-04查看资料
KA339Aonsemi
  • LM339DR2G
2019-11-04查看资料
KA339ADTFonsemi
  • LM339DR2G
2019-11-04查看资料
KA339DTFonsemi
  • LM339DR2G
2019-11-04查看资料

第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

115 个原型号
原型号

AD8515ARTZ-REEL

Analog Devices Inc.

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命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • OPA333AMDBVREPTexas Instruments相似型号
原型号

AP2121AK-3.3TRG1-1

Diodes Incorporated

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  • XC6217A332MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
原型号

BA33BC0WFP-E2

Rohm Semiconductor

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  • LD29080PT33RSTMicroelectronics相似型号
原型号

BA33BC0WT-V5

Rohm Semiconductor

查看详情 · 1 条候选
  • LT1963ET-3.3#06PBFAnalog Devices Inc.相似型号
原型号

INA332AIDGKRG4

Texas Instruments

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  • INA332AIDGKRTexas Instruments第三方标注:厂商推荐
原型号

LD6806TD/33H,125

NXP USA Inc.

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  • XC6221A332MR-GTorex Semiconductor Ltd相似型号
原型号

LMV751M5X/NOPB

Texas Instruments

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  • OPA337NA/250Texas Instruments相似型号
原型号

LP38691DT-3.3

Texas Instruments

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命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • BA33BC0FP-E2Rohm Semiconductor相似型号
原型号

LP8340CDTX-3.3/NOPB

Texas Instruments

查看详情 · 2 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • BA33BC0FP-E2Rohm Semiconductor相似型号
原型号

MAX4074BJEUK-T

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

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  • OPA337NA/250Texas Instruments相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

552 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

QPA3325TR13

Qorvo

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 45 MHz to 1.218 GHz、技术 GaAs GaN、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 480 mA,采用 DIE-9 封装。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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QPA3333SR

Qorvo

主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 45~1218 MHz、测试频率 1218 MHz、技术 GaAs GaN、类型 Power Doubler,采用 11 mm x 8.5 mm x 1.375 mm 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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QPA3333TR13

Qorvo

主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 45~1218 MHz、测试频率 1218 MHz、技术 GaAs GaN、类型 Power Doubler,采用 11 mm x 8.5 mm x 1.375 mm 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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QPA3333TR7

Qorvo

主要参数包括工作电源电压 24 V、工作频率 45 MHz to 1.218 GHz、技术 GaAs GaN、类型 CATV Amplifiers、工作电源电流 450 mA、增益 27.8 dB。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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QPA3340

Qorvo

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 45~1003 MHz、技术 GaAs GaN、类型 Hybrid Power Double Amplifier、增益 22.8 dB,采用 SOT-115J-9 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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QPA3350

Qorvo

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 45~1003 MHz、技术 GaAs GaN、类型 Hybrid Power Doubler Amplifier、增益 25 dB,采用 SOT-115J-9 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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QPA3357

Qorvo

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 47~1218 MHz、技术 GaAs、类型 Power Doubler Hybrid、增益 28 dB,采用 SOT-115J-9 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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QPA3358

Qorvo

主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 47 MHz to 1.218 GHz、测试频率 1.218 GHz、技术 GaAs、类型 CATV Amplifiers,采用 SOT-115J 封装。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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QPA3359

Qorvo

主要参数包括工作电源电压 24 V、工作频率 45 MHz to 1.218 GHz、测试频率 1.218 GHz、技术 GaAs、类型 CATV Amplifiers、工作电源电流 260 mA,采用 SOT-115J-9 封装。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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QPA3390SR

Qorvo

主要参数包括工作电源电压 24 V、工作频率 45 MHz to 1.794 GHz、工作电源电流 480 mA、增益 23 dB、噪声系数(NF) 4 dB、原产国家或地区 德国。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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