原型号
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Analog Devices Inc.
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原型号
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Analog Devices Inc.
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Renesas Electronics Corporation
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Renesas Electronics Corporation
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原型号
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Renesas Electronics Corporation
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原型号
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Texas Instruments
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原型号
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Microchip Technology
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原型号
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Texas Instruments
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
S-L2980A26MC-TF-U
ABLIC
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 2.6 V、输出电流 150 mA、输出类型 Fixed、输出数 1 Output、极性 Positive、输入电压（最大值） 10 V，采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsSA261
Diotec Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1.2 kV、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.8 V、最大浪涌电流 45 A，采用 DO-213AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersSA262
Diotec Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1.4 kV、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.8 V、最大浪涌电流 45 A，采用 DO-213AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersSA263
Diotec Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1.6 kV、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.8 V、最大浪涌电流 45 A，采用 DO-213AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersSA264
Diotec Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1.8 kV、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.8 V、最大浪涌电流 45 A，采用 DO-213AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersSA265
Diotec Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 2 kV、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.8 V、最大浪涌电流 45 A，采用 DO-213AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersSIRA26DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 25 V、连续漏极电流（Id） 30.3 A，采用 PowerPAK-SO-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSIRA26DP-T1-RE3
Vishay Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 25 V、连续漏极电流（Id） 30.3 A，采用 PowerPAK-SO-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsSiSA26DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 25 V、连续漏极电流（Id） 60 A，采用 PowerPAK-1212-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSISA26DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 25 V、连续漏极电流（Id） 60 A，采用 PowerPAK-1212-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs