ADC0808S250HW/C1:1
NXP USA Inc.
- ADC0808S250HW/C1:5Renesas Electronics Corporation直接替代候选
技术资料参考
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Renesas Electronics
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流(If) 80 mA、最大集电极-发射极电压 40 V、最大集电极电流 200 mA、隔离电压 5000 Vrms。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output OptocouplersRenesas Electronics
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流(If) 80 mA、最大集电极-发射极电压 40 V、最大集电极电流 200 mA、隔离电压 5000 Vrms。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output OptocouplersRenesas Electronics
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流(If) 80 mA、最大集电极-发射极电压 40 V、最大集电极电流 160 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 DIP-16 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output OptocouplersCEL
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流(If) 80 mA、最大集电极-发射极电压 40 V、最大集电极电流 200 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 SMD-DIP-4 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output OptocouplersCEL
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、隔离电压 5000 Vrms、单件重量 0.008536 oz。
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该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 80 mA、最大集电极-发射极电压 40 V、最大集电极电流 200 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 DIP-4 Gull Wing 封装。
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该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流(If) 80 mA、最大集电极-发射极电压 40 V、最大集电极电流 200 mA、隔离电压 5000 Vrms。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output OptocouplersRenesas Electronics
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流(If) 80 mA、最大集电极-发射极电压 40 V、最大集电极电流 200 mA、隔离电压 5000 Vrms。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output OptocouplersRenesas Electronics
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 Darlington、正向电流(If) 80 mA、最大集电极-发射极电压 40 V、最大集电极电流 200 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 PDIP-4 Gull Wing 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output OptocouplersRenesas Electronics
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 4 个通道、输出类型 Photodarlington、正向电流(If) 80 mA、最大集电极-发射极电压 40 V、最大集电极电流 160 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 SMD-DIP-16 封装。
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