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原厂资料

13 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
FUS1DD_HFDiodes Incorporated
  • HS1DDF-13
2025-07-23查看资料
U1D-E3/5ATVishay
  • ES1D-E3/5AT
2024-04-08查看资料
U1D-E3/61TVishay
  • ES1D-E3/61T
2024-04-08查看资料
U1D-M3/5ATVishay
  • ES1D-M3/5AT
2024-04-08查看资料
U1D-M3/61TVishay
  • ES1D-M3/61T
2024-04-08查看资料
NTBGS001N06Consemi
  • STBGS1D5N06C
2023-12-22查看资料
NTBGS1D5N06Consemi
  • STBGS1D5N06C
2023-12-22查看资料
FDB024N06onsemi
  • NTBGS1D5N06C
2023-10-06查看资料
NVMFS5H600NLWFT1Gonsemi
  • NVMJS1D4N06CLTWG
2023-06-30查看资料
AS1DDiodes Incorporated
  • AS1J
2023-05-15查看资料
FDB9406-F085onsemi
  • NVMYS1D3N04CTWG
2023-03-30查看资料
NVBGS1D2N08Honsemi
  • NVMTS1D2N08H
2023-03-30查看资料
FDMS1D4N03Sonsemi
  • NTMFS4H013NF
2021-04-08查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

1 个原型号
原型号

NX3P2902BUKZ

NXP USA Inc.

查看详情 · 2 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • BUS1DJC0GWZ-E2Rohm Semiconductor相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

465 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

ES1DVHM2G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
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ES1DVHR2G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.92 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
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ES1DVHR3G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.92 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
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ES1DWF-HF

Comchip Technology

主要参数包括类型 Super Fast Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SOD-123FL-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
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ES1D_R1_00001

Panjit

主要参数包括类型 Super Fast Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 950 mV、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
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ES1D_R2_00001

Panjit

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 950 mV、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
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FDMS1D2N03DSD

ON Semiconductor

主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 30 A、漏源导通电阻（Rds On） 1.2 mOhms, 4 mOhms，采用 PowerClip56-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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FDMS1D4N03S

ON Semiconductor / Fairchild

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 38 A，采用 Power-56-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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FDMS1D5N03

ON Semiconductor / Fairchild

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 218 A，采用 Power-56-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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FES1DE

Diodes Incorporated

主要参数包括类型 Ultra Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、配置 Single、正向电压（Vf） 870 mV、最大浪涌电流 30 A、反向电流（Ir） 10 nA，采用 DO-219AA-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
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