原型号
查看详情 · 2 条候选92042022A
Vishay Siliconix
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- DG409DY-E3Vishay Siliconix相似型号
搜索结果
原厂资料
10 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| ZABG4002JA16TC | Diodes Incorporated |
| 2019-06-28 | 查看资料 |
| ADG406BP | Analog Devices |
| 2017-11-21 | 查看资料 |
| ADG406BP-REEL | Analog Devices |
| 2017-11-21 | 查看资料 |
| ADG407BP | Analog Devices |
| 2017-11-21 | 查看资料 |
| ADG408BN | Analog Devices |
| 2017-11-21 | 查看资料 |
| ADG407BN | Analog Devices |
| 2012-04-19 | 查看资料 |
| ADG409BN | Analog Devices |
| 2012-04-19 | 查看资料 |
| ADG409BRU | Analog Devices |
| 2012-04-19 | 查看资料 |
| XC3S400AN-4FG400C4100 | Xilinx (AMD) |
| 查看资料 | |
| XC3S400AN-4FG400I4100 | Xilinx (AMD) |
| 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 27 条候选ADG1308BRZ-REEL7
Analog Devices Inc.
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- DG408CY+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号
原型号
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Analog Devices Inc.
- ADG408BRZAnalog Devices Inc.直接替代候选
原型号
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Analog Devices Inc.
- ADG408BRZ-REELAnalog Devices Inc.直接替代候选
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Analog Devices Inc.
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Vishay Siliconix
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原型号
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Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix
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原型号
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Vishay Siliconix
- DG403DY-T1-E3Vishay Siliconix第三方标注：厂商推荐
原型号
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
DHG40B1200LB-TUB
IXYS
该型号为半导体器件，主要参数包括类型 Fast Recovery、产品 Diode Power Modules、正向电压（Vf） 2.89 V、反向电压（Vr） 1200 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C，采用 SMPD-9 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete Semiconductor ModulesDHG40C1200HB
IXYS
该型号为二极管，主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifier、峰值反向电压 1200 V、最大浪涌电流 135 A、正向电流（If） 40 A、配置 Dual、恢复时间 75 ns，采用 TO-247AD 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingDHG40C600HB
IXYS
该型号为二极管，主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifier、峰值反向电压 600 V、最大浪涌电流 150 A、正向电流（If） 40 A、配置 Dual、恢复时间 35 ns，采用 TO-247AD 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingDHG40C600PB
IXYS
该型号为二极管，主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifier、峰值反向电压 600 V、最大浪涌电流 150 A、正向电流（If） 20 A、配置 Dual、恢复时间 35 ns，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingDHG40I4500KO
IXYS
该型号为半导体器件，主要参数包括类型 Fast Recovery Diode、产品 Diode Power Modules、正向电压（Vf） 3 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、配置 Single，采用 ISOPLUS264-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete Semiconductor ModulesGW2AN-EV18XUG400C7/I6
GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 335 个输入／输出。
半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayGW2AN-EV9XUG400C7/I6
GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 335 个输入／输出。
半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayGW2AN-LV18XUG400C7/I6
GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 335 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V。
半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayGW2AN-LV9XUG400C7/I6
GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 335 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 1.2 V、工作电源电压 1.2 V。
半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayGW2AN-UV18XUG400C7/I6
GOWIN Semiconductor
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 335 个输入／输出、电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 3.3 V、工作电源电压 3.3 V。
半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate Array