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17 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
8V89313NLGRenesas
  • 8A34002E-000NLG
2022-09-06查看资料
8V89313NLG8Renesas
  • 8A34002E-000NLG8
2022-09-06查看资料
82V32021NLGRenesas
  • 8A34002E-000NLG
2022-02-28查看资料
82V32021NLG/CRenesas
  • 8A34002E-000NLG
2022-02-28查看资料
82V32021NLG8Renesas
  • 8A34002E-000NLG8
2022-02-28查看资料
82V3202NLGRenesas
  • 8A34002E-000NLG
2022-02-28查看资料
82V3202NLG8Renesas
  • 8A34002E-000NLG8
2022-02-28查看资料
82V3390BEQGRenesas
  • 8A34002E-000NLG
2022-02-28查看资料
82V3390BEQG8Renesas
  • 8A34002E-000NLG8
2022-02-28查看资料
82V3255EDGRenesas
  • 8A34004E-000NBG
2021-07-06查看资料
82V3255EDG8Renesas
  • 8A34004E-000NBG8
2021-07-06查看资料
82V3255TFGRenesas
  • 8A34004E-000NBG
2021-07-06查看资料
82V3255TFG-ECIRenesas
  • 8A34004E-000NBG
2021-07-06查看资料
82V3255TFG8Renesas
  • 8A34004E-000NBG8
2021-07-06查看资料
82V3255TFG8-ECIRenesas
  • 8A34004E-000NBG8
2021-07-06查看资料
NRVBA340T3Gonsemi
  • NRVBA340NT3G
2020-02-21查看资料
OPA345Texas Instruments
  • OPA310
  • TLV9041D
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

85 个原型号
原型号

82V3202NLG

Renesas Electronics Corporation

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  • 8A34002E-000NLGRenesas Electronics Corporation第三方标注：厂商推荐
原型号

AD8515ARTZ-REEL

Analog Devices Inc.

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  • OPA343NA/250Texas Instruments相似型号
原型号

AD8541AKSZ-R2

Analog Devices Inc.

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  • OPA340MDBVTEPTexas Instruments相似型号
原型号

AD8615AUJZ-REEL

Analog Devices Inc.

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  • OPA340MDBVTEPTexas Instruments相似型号
原型号

BA3474FV-E2

Rohm Semiconductor

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  • TL3474ACPWRTexas Instruments相似型号
原型号

BA3474FVJ-E2

Rohm Semiconductor

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  • LM324PWRTexas Instruments相似型号
原型号

LM324APW

Texas Instruments

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  • BA3474FVJ-E2Rohm Semiconductor相似型号
原型号

LM324KAPWRG4

Texas Instruments

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  • BA3474FVJ-E2Rohm Semiconductor相似型号
原型号

LM358DGKRG4

Texas Instruments

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  • BA3472RFVM-TRRohm Semiconductor相似型号
原型号

LMP2022MMX/NOPB

Texas Instruments

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  • OA2ZHA34SSTMicroelectronics相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

348 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

PJA3402_R1_00001

Panjit

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 4.4 A，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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PJA3406_R1_00001

Panjit

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 4.4 A，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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PJA3411_R1_00001

Panjit

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 20 V、连续漏极电流（Id） 3.1 A，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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PJA3414_R1_00001

Panjit

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 20 V、连续漏极电流（Id） 5.2 A，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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PJA3415_R1_00001

Panjit

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 20 V、连续漏极电流（Id） 4 A，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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PJA3441_R1_00001

Panjit

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 3.1 A，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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PJA3461S-AU_R1_007A1

Panjit

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 1.9 A，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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PJA3461_R1_00001

Panjit

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 1.9 A，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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PJA3470_R1_00001

Panjit

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 1.3 A，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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R7FA2E2A34CBY#HC1

Renesas Electronics

该型号为微控制器（MCU），主要参数包括原产国家或地区 韩国、商品名称 RA。

半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > ARM Microcontrollers - MCU
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