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搜索结果

原厂资料

5 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
HX21333002Diodes Incorporated
  • HX2A333003
2024-06-25查看资料
KA339onsemi
  • LM339DR2G
2019-11-04查看资料
KA339Aonsemi
  • LM339DR2G
2019-11-04查看资料
KA339ADTFonsemi
  • LM339DR2G
2019-11-04查看资料
KA339DTFonsemi
  • LM339DR2G
2019-11-04查看资料

第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

115 个原型号
原型号

AD8515ARTZ-REEL

Analog Devices Inc.

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命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • OPA333AMDBVREPTexas Instruments相似型号
原型号

AP2121AK-3.3TRG1-1

Diodes Incorporated

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  • XC6217A332MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
原型号

BA33BC0WFP-E2

Rohm Semiconductor

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  • LD29080PT33RSTMicroelectronics相似型号
原型号

BA33BC0WT-V5

Rohm Semiconductor

查看详情 · 1 条候选
  • LT1963ET-3.3#06PBFAnalog Devices Inc.相似型号
原型号

INA332AIDGKRG4

Texas Instruments

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  • INA332AIDGKRTexas Instruments第三方标注:厂商推荐
原型号

LD6806TD/33H,125

NXP USA Inc.

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  • XC6221A332MR-GTorex Semiconductor Ltd相似型号
原型号

LMV751M5X/NOPB

Texas Instruments

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  • OPA337NA/250Texas Instruments相似型号
原型号

LP38691DT-3.3

Texas Instruments

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  • BA33BC0FP-E2Rohm Semiconductor相似型号
原型号

LP8340CDTX-3.3/NOPB

Texas Instruments

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  • BA33BC0FP-E2Rohm Semiconductor相似型号
原型号

MAX4074BJEUK-T

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

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  • OPA337NA/250Texas Instruments相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

552 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

PAM3110ABA330R

Diodes Incorporated

该型号为低压差线性稳压器(LDO),主要参数包括输出电压 3.3 V、输出电流 1.5 A、输出类型 Fixed、类型 CMOS LDO Regulator、输出数 1 Output、静态电流 75 uA,采用 SOT-223-3 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage Regulators
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PE15A3300

Pasternack

主要参数包括原产国家或地区 美国、单件重量 1.055999 oz。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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PE15A3308

Pasternack

主要参数包括原产国家或地区 美国、单件重量 1.375999 oz。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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PE15A3310

Pasternack

主要参数包括原产国家或地区 美国、单件重量 1.524799 oz。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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PE15A3311

Pasternack

主要参数包括原产国家或地区 美国、单件重量 1.518399 oz。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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QPA3311

Qorvo

主要参数包括工作电源电压 24 V、工作频率 50 MHz to 1.795 GHz、工作电源电流 520 mA、增益 23 dB、原产国家或地区 德国,采用 SOT-115 封装。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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QPA3315

Qorvo

主要参数包括原产国家或地区 德国。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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QPA3316

Qorvo

主要参数包括工作电源电压 34 V、工作频率 45 MHz to 1.794 GHz、类型 CATV Amplifiers、工作电源电流 530 mA、增益 23 dB、原产国家或地区 德国。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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QPA3320

Qorvo

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 40~1003 MHz、技术 GaAs GaN、类型 Hybrid Push-Pull Amplifier、增益 34.5 dB,采用 SOT-115J-9 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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QPA3325SR

Qorvo

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 45 MHz to 1.218 GHz、技术 GaAs GaN、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 480 mA,采用 DIE-9 封装。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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