S8012DTP
Littelfuse
主要参数包括类型 SCRs、最大转折电流（IBO） 120 A、额定重复断态电压（VDRM） 800 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 10 uA、通态有效值电流（It RMS） 12 A、正向电压（Vf） 1.6 V，采用 DPAK-2 (TO-252-2) 封装。
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芯片技术资料
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S8012NRP
Littelfuse
主要参数包括额定重复断态电压（VDRM） 800 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 20 uA、通态有效值电流（It RMS） 12 A、门极触发电压（Vgt） 1.5 V、门极触发电流（Igt） 20 mA、最大维持电流（Ih） 40 mA，采用 D2PAK-2 (TO-263-2) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRsS8012NTP
Littelfuse
主要参数包括VDRM 下断态漏电流（IDRM） 10 uA，采用 D2PAK-2 (TO-263-2) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRsS8012RTP
Littelfuse
主要参数包括VDRM 下断态漏电流（IDRM） 10 uA，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRsS8012VTP
Littelfuse
主要参数包括类型 SCRs、最大转折电流（IBO） 120 A、额定重复断态电压（VDRM） 800 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 10 uA、通态有效值电流（It RMS） 12 A、正向电压（Vf） 1.6 V，采用 TO-251-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRsSV8012DRP
Littelfuse
主要参数包括额定重复断态电压（VDRM） 800 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 5 uA、通态有效值电流（It RMS） 12 A、门极触发电流（Igt） 20 mA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 TO-252-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRsSV8012DTP
Littelfuse
主要参数包括额定重复断态电压（VDRM） 800 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 5 uA、通态有效值电流（It RMS） 12 A、门极触发电流（Igt） 20 mA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 TO-252-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRsSV8012VTP
Littelfuse
主要参数包括额定重复断态电压（VDRM） 800 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 5 uA、通态有效值电流（It RMS） 12 A、门极触发电流（Igt） 20 mA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 TO-251-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRsSY58012UMG
Microchip Technology / Micrel
主要参数包括电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.375 V、输出类型 ECL, LVPECL, PECL、输入线数 1 Input、输出线数 2 Output、极性 Non-Inverting，采用 MLF-16 封装。
半导体 > 集成电路 > Logic ICs > Buffers & Line DriversSY58012UMG
Microchip Technology
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 3.6 V、输出类型 ECL, LVPECL, PECL、输入线数 1 Input、输出线数 2 Output、极性 Non-Inverting，采用 MLF-16 封装。
半导体 > Logic ICs > Buffers & Line Drivers