ZL38001QDG1
Microchip / Microsemi
该型号为集成电路，主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 3.3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、频率 20 MHz、产品 Echo Cancellers，采用 TQFP-48 封装。
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技术资料参考
芯片技术资料
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CPU Xeon E-2176G 3.7GHz LGA1151
ADLINK Technology
主要参数包括最大时钟频率 3.7 GHz、内核 Xeon E-2176G、内核数 6 Core、缓存容量 12 MB、代号 Coffee Lake。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > CPU - Central Processing UnitsPMH260UNEH
Nexperia
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 20 V、连续漏极电流（Id） 1.2 A，采用 DFN-0606-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsPMH400UNEH
Nexperia
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 900 mA，采用 DFN-0606-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsPMH550UNEAH
Nexperia
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 770 mA，采用 DFN0606-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsPMH550UPEH
Nexperia
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 20 V、连续漏极电流（Id） 800 mA，采用 DFN-0606-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsPMH850UPEH
Nexperia
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 600 mA，采用 DFN-0606-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs