RS1KLWHRVG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SOD-123W-2 封装。
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芯片技术资料
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RS1KM
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 20 A，采用 SMA 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1KM RSG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 20 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1KP1M-7
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国、产品 Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1KWF-HF
Comchip Technology
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SOD-123FL-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1K_R1_00001
Panjit
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersUS1K
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国、产品 Rectifiers、单件重量 0.002116 oz，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersUS1K
Diotec Semiconductor
主要参数包括类型 Ultra Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersUS1K F2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersUS1K F2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC-2 封装。
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