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搜索结果

原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
PI7C9X20303ULAZPEX	Diodes Incorporated	PI7C9X2G304EVAZXAEX	2026-01-22	查看资料
IHCM2321AAEG301N10	Vishay	ICMS2321AGEG281N10	2025-09-11	查看资料
G30H150CTFW	Diodes Incorporated	SDT30150GCTSP	2022-08-29	查看资料
G30H150CTW	Diodes Incorporated	SDT30150GCT	2022-08-29	查看资料
RHRG1560CC-F085	onsemi	RURG3060CC-F085	2021-04-08	查看资料
CG10167AA	Infineon	CY62147G30-45BVXA		查看资料
CG10167AAT	Infineon	CY62147G30-45BVXA		查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

26 个原型号

原型号

CG8556AA

Infineon Technologies

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

CY7C1041G30-10ZSXIInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐

原型号

CY62162G30-45BGXIT

Infineon Technologies

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CY62162G18-55BGXITInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐

原型号

CY7C10612GE30-10ZSXI

Infineon Technologies

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命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

CY7C10612G30-10ZSXIInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐

原型号

CY7S1041G30-10VXI

Infineon Technologies

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AS7C34098A-10JINAlliance Memory, Inc.相似型号

原型号

CY7S1061G30-10ZXIT

Infineon Technologies

查看详情 · 1 条候选

CY7S1061GE30-10ZXITInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐

原型号

DG300BDJ

Vishay Siliconix

查看详情 · 1 条候选

DG300ACJ+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号

原型号

DG302AAK/883

Vishay Siliconix

查看详情 · 2 条候选

DG302AAK/883BAnalog Devices Inc./Maxim Integrated直接替代候选

原型号

DG307AAK/883

Vishay Siliconix

查看详情 · 1 条候选

DG307ACJ+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号

原型号

DG308BDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

查看详情 · 11 条候选

DG408DQ-T1-E3Vishay Siliconix第三方标注：厂商推荐

原型号

DG308BDY

Vishay Siliconix

查看详情 · 8 条候选

DG308BDY-E3Vishay Siliconix参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

765 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

CY7S1061G30-10BVXI

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储容量 16 Mbit、存储器类型 Volatile、类型 Synchronous、存储组织结构 1 M x 16、访问时间 10 ns、最小工作温度 - 40 C。

半导体 > Memory ICs > SRAM

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CY7S1061G30-10BVXI

Infineon Technologies

主要参数包括存储容量 16 Mbit、存储器类型 Volatile、类型 Synchronous、存储组织结构 1 M x 16、访问时间 10 ns、最小工作温度 - 40 C。

半导体 > Memory ICs > SRAM

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CY7S1061G30-10BVXIT

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储容量 16 Mbit、存储器类型 Volatile、类型 Synchronous、存储组织结构 1 M x 16、访问时间 10 ns、最小工作温度 - 40 C。

半导体 > Memory ICs > SRAM

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CY7S1061G30-10BVXIT

Infineon Technologies

主要参数包括存储容量 16 Mbit、存储器类型 Volatile、类型 Synchronous、存储组织结构 1 M x 16、访问时间 10 ns、最小工作温度 - 40 C。

半导体 > Memory ICs > SRAM

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CY7S1061G30-10ZSXI

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.2 V、接口类型 Parallel、存储器类型 Volatile、类型 Synchronous，采用 TSOP-54 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM

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CY7S1061G30-10ZSXIT

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储容量 16 Mbit、存储器类型 Volatile、类型 Synchronous、存储组织结构 1 M x 16、访问时间 10 ns、最小工作温度 - 40 C。

半导体 > Memory ICs > SRAM

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CY7S1061G30-10ZXI

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.2 V、接口类型 Parallel、存储器类型 Volatile、类型 Synchronous，采用 TSOP-48 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM

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CY7S1061G30-10ZXIT

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储容量 16 Mbit、存储器类型 Volatile、类型 Synchronous、存储组织结构 1 M x 16、访问时间 10 ns、最小工作温度 - 40 C。

半导体 > Memory ICs > SRAM

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DG3000DB-T1

Vishay / Siliconix

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.8～5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.8 V、供电类型 Single Supply、开关数 1 Switch、配置 1 x SPDT，采用 MICRO FOOT-6 封装。

半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Analog Switch ICs

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DG300AAK/883B

Maxim Integrated

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 10～30 V、双电源电压 +/- 15 V、最大双电源电压 +/- 18 V、最小双电源电压 +/- 5 V、电源电压（最大值） 30 V、电源电压（最小值） 10 V，采用 CDIP-14 封装。

半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Analog Switch ICs

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