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Infineon Technologies
- FM24CL64B-GInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐
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技术资料参考
芯片技术资料
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PM50CG1A120
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 6-Pack、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.2 kV、集电极－发射极饱和电压 1.3 V、25°C 时连续集电极电流 50 A。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesPM50CG1AP065
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesPM50CG1AP120
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesPM50CG1B065
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesPM50CG1B120
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesPM75CG1A065
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesPM75CG1AP065
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesPM75CG1B065
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesPM75CG1B120
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 6-Pack、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.2 kV、集电极－发射极饱和电压 1.3 V、25°C 时连续集电极电流 75 A。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesSMCG10CA-E3/57T
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Bidirectional、工作电压 10 V、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、钳位电压 17 V、击穿电压 11.1 V，采用 SMCG (DO-215AB) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Transient Voltage Suppression Diodes - TVS