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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

43 个原型号

原型号

S-817A53APF-CVQTFG

ABLIC Inc.

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S-817A53APF-CVQTFUABLIC Inc.直接替代候选

原型号

S-L2980A53MC-TF-G

ABLIC Inc.

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S-L2980A53MC-TF-UABLIC Inc.参数相近

原型号

TPS3703A5330DSER

Texas Instruments

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TPS3703A4330DSERTexas Instruments参数相近

原型号

XC6121A534MR-G

Torex Semiconductor Ltd

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XC6121C534MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近

原型号

XC6121A539MR-G

Torex Semiconductor Ltd

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原型号

XC6121C534MR-G

Torex Semiconductor Ltd

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原型号

XC6121C539MR-G

Torex Semiconductor Ltd

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XC6121A539MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近

原型号

XC6121D534MR-G

Torex Semiconductor Ltd

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XC6121A534MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近

原型号

XC6121D539MR-G

Torex Semiconductor Ltd

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XC6121A539MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近

原型号

XC6121E531ER-G

Torex Semiconductor Ltd

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XC6121A531ER-GTorex Semiconductor Ltd参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

272 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

S32G399ASCK1VUCT

NXP Semiconductors

该型号为微处理器（MPU），主要参数包括最大时钟频率 400 MHz, 1.3 GHz、数据 RAM 容量 20 MB、工作电源电压 800 mV、输入／输出电压 1.1 V, 1.35 V, 1.8 V, 3.3 V、接口类型 CAN, I2C, SPI, USB、指令类型 Floating Point，采用 FCPBGA-525 封装。

半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microprocessors - MPU

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SIA533EDJ-T1-GE3

Vishay / Siliconix

主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel、晶体管极性 N-Channel, P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 12 V、连续漏极电流（Id） 4.5 A，采用 PowerPAK-SC70-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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SIA533EDJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors

主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel、晶体管极性 N-Channel, P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 12 V、连续漏极电流（Id） 4.5 A，采用 SC-70-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs

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SIA537EDJ-T1-GE3

Vishay / Siliconix

主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel、晶体管极性 N-Channel, P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 12 V, 20 V、连续漏极电流（Id） 4.5 A，采用 PowerPAK-SC70-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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SMA531

MACOM

RF Amplifier 10-500MHz NF 2.0dB Gain 31.7dB

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier

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STA533WF13TR

STMicroelectronics

主要参数包括通道数 4 个通道、类型 4-Channel Audio、产品 Audio Amplifiers、总谐波失真加噪声 10 %、最大工作温度 + 70 C、湿敏性是，采用 PowerSSO EP 封装。

半导体 > 集成电路 > Audio ICs > Audio Amplifiers

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TK12A53D(STA4,Q,M)

Toshiba

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 525 V、连续漏极电流（Id） 12 A，采用 TO-220FP-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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TK4A53D(STA4,Q,M)

Toshiba

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 525 V、连续漏极电流（Id） 4 A，采用 TO-220FP-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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TK5A53D(STA4,Q,M)

Toshiba

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 525 V、连续漏极电流（Id） 5 A，采用 TO-220FP-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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TK6A53D(STA4,Q,M)

Toshiba

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 525 V、连续漏极电流（Id） 6 A，采用 TO-220FP-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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