7130SA35J
Renesas Electronics Corporation
- 7130LA20JGRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
13 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| 7132SA35C | Renesas |
| 2023-12-05 | 查看资料 |
| KA3525A | onsemi |
| 2023-03-30 | 查看资料 |
| 7140LA35CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7140SA35CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142LA35C | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142LA35CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142LA45CM | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142SA35C | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142SA35CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| KA358 | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
| KA358A | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
| KA358ADTF | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
| KA358DTF | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
来源:第三方数据源非原厂公告
Renesas Electronics Corporation
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技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Texas Instruments
该型号为运算放大器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 5.5 V、放大器类型 Voltage Feedback、输入类型 Rail-to-Rail,采用 SOT-23-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > High Speed Operational AmplifiersTexas Instruments
该型号为运算放大器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 5.5 V、放大器类型 Voltage Feedback、输入类型 Rail-to-Rail,采用 SOT-23-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > High Speed Operational AmplifiersTexas Instruments
该型号为运算放大器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 3.3 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 3.6 V、输入类型 Rail-to-Rail、输出类型 Rail-to-Rail,采用 SC70-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > High Speed Operational AmplifiersTexas Instruments
该型号为运算放大器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 3.3 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 3.6 V、输入类型 Rail-to-Rail、输出类型 Rail-to-Rail,采用 SC70-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > High Speed Operational AmplifiersEaton Electronics
该型号为二极管,主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Unidirectional、工作电压 350 V、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、钳位电压 482 V、击穿电压 332 V,采用 SMA (DO-214AC) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Transient Voltage Suppression Diodes - TVSPasternack
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、单件重量 1.599999 oz。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierPasternack
主要参数包括原产国家或地区 美国、单件重量 2.734 lbs。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierQorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 3.4~3.6 GHz、技术 氮化镓(GaN)、类型 Power Amplifier、增益 32 dB,采用 SMD-36 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierQorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 3.4~3.6 GHz、技术 氮化镓(GaN)、类型 Power Amplifier、增益 32 dB,采用 SMD-36 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierQorvo
主要参数包括工作频率 3.4~3.6 GHz、技术 氮化镓(GaN)、类型 Power Amplifier、增益 30 dB、湿敏性 是。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier