原型号
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Analog Devices Inc.
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- OPA333AMDBVREPTexas Instruments相似型号
搜索结果
第三方参考
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原型号
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Diodes Incorporated
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- XC6217A332MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
原型号
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Rohm Semiconductor
- LD29080PT33RSTMicroelectronics相似型号
原型号
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Rohm Semiconductor
- LT1963ET-3.3#06PBFAnalog Devices Inc.相似型号
原型号
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Texas Instruments
- INA332AIDGKRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号
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NXP USA Inc.
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- XC6221A332MR-GTorex Semiconductor Ltd相似型号
原型号
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Texas Instruments
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- OPA337NA/250Texas Instruments相似型号
原型号
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Texas Instruments
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- BA33BC0FP-E2Rohm Semiconductor相似型号
原型号
查看详情 · 2 条候选LP8340CDTX-3.3/NOPB
Texas Instruments
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- BA33BC0FP-E2Rohm Semiconductor相似型号
原型号
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated
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- OPA337NA/250Texas Instruments相似型号
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
OPA337UAG4
Texas Instruments
该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、技术 CMOS、放大器类型 Wideband Amplifier，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op AmpsOPA338NA/250
Texas Instruments
该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、技术 CMOS、放大器类型 Wideband Amplifier，采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op AmpsOPA338NA/250G4
Texas Instruments
该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、技术 CMOS、放大器类型 Wideband Amplifier，采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op AmpsOPA338NA/3K
Texas Instruments
该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、技术 CMOS、放大器类型 Wideband Amplifier，采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op AmpsOPA338UA
Texas Instruments
该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、技术 CMOS、放大器类型 Wideband Amplifier，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op AmpsOPA338UAG4
Texas Instruments
该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、技术 CMOS、放大器类型 Wideband Amplifier，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op AmpsP4SMA33A
Eaton Electronics
该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Unidirectional、工作电压 33 V、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、钳位电压 45.7 V、击穿电压 37.1 V，采用 SMA (DO-214AC) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Transient Voltage Suppression Diodes - TVSP4SMA33A-Q
Bourns
该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Unidirectional、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、击穿电压 33 V、工作电压 28.2 V、峰值脉冲耗散功率（Pppm） 400 W，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD SuppressorsP4SMA33CA
Littelfuse
该型号为二极管，主要参数包括极性 Bidirectional、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、击穿电压 34.7 V、工作电压 28.2 V、钳位电压 45.7 V、峰值脉冲电流（Ipp） 9 A，采用 DO-214AC-2 (SMA) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD SuppressorsP4SMA33CAHM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Bidirectional、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、击穿电压 31.4 V、工作电压 28.2 V、钳位电压 45.7 V，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors