TPSMA10AHE3_B/H
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Unidirectional、工作电压 8.65 V、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、钳位电压 14.5 V、击穿电压 9.5 V，采用 SMA (DO-214AC) 封装。
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TPSMA10AHE3_B/I
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Unidirectional、工作电压 8.65 V、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、钳位电压 14.5 V、击穿电压 9.5 V，采用 SMA (DO-214AC) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Transient Voltage Suppression Diodes - TVSTPSMA10AHM3_B/H
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Unidirectional、工作电压 8.65 V、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、钳位电压 14.5 V、击穿电压 9.5 V，采用 SMA (DO-214AC) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Transient Voltage Suppression Diodes - TVSTPSMA10AHM3_B/I
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Unidirectional、工作电压 8.65 V、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、钳位电压 14.5 V、击穿电压 9.5 V，采用 SMA (DO-214AC) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Transient Voltage Suppression Diodes - TVSTPSMA18AHE3_B/H
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Unidirectional、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、击穿电压 18.9 V、钳位电压 25.5 V、峰值脉冲电流（Ipp） 15.9 A，采用 DO-214AC-2 (SMA) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD SuppressorsZ1SMA1
Diotec Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 770 mV、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 6.5 Ω、最小工作温度 - 50 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesZ1SMA10
Diotec Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 10 V、耗散功率（Pd） 1.5 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 5.2 Ω、最小工作温度 - 50 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesZ1SMA100
Diotec Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 100 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 200 Ω、最小工作温度 - 50 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesZ1SMA11
Diotec Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 11 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 6 Ω、最小工作温度 - 50 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesZ1SMA12
Diotec Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 12 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 7 Ω、最小工作温度 - 50 C，采用 DO-214AC-2 封装。
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