原型号
查看详情 · 1 条候选CG10150AF
Infineon Technologies
- FM24CL64B-GInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐
搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
PM100CG1B065
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesPM100CG1B120
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 6-Pack、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.2 kV、集电极－发射极饱和电压 1.3 V、25°C 时连续集电极电流 100 A。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesPM100CG1C120
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesPM150CG1B065
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 6-Pack、最大集电极－发射极电压（VCEO） 650 V、集电极－发射极饱和电压 1.25 V、25°C 时连续集电极电流 150 A。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesPM150CG1C120
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 6-Pack、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.2 kV、集电极－发射极饱和电压 1.3 V、25°C 时连续集电极电流 150 A。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesPM200CG1B065
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 6-Pack、最大集电极－发射极电压（VCEO） 650 V、集电极－发射极饱和电压 1.25 V、25°C 时连续集电极电流 200 A。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesPM200CG1C065
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 6-Pack、最大集电极－发射极电压（VCEO） 650 V、集电极－发射极饱和电压 1.25 V、25°C 时连续集电极电流 200 A。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesPM200CG1C120
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 6-Pack、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.2 kV、集电极－发射极饱和电压 1.3 V、25°C 时连续集电极电流 200 A。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesPM300CG1C065
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 6-Pack、最大集电极－发射极电压（VCEO） 650 V、集电极－发射极饱和电压 1.25 V、25°C 时连续集电极电流 300 A。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesPM50CG1A065
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 6-Pack、最大集电极－发射极电压（VCEO） 650 V、集电极－发射极饱和电压 1.25 V、25°C 时连续集电极电流 50 A。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT Modules