ChipSourceHub 美芯科技

搜索结果

原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
LA431NHPA	Diodes Incorporated	AZ431BZ-ATRG1	2022-08-31	查看资料
LA431NYPA	Diodes Incorporated	AS431BRTR-G1	2022-08-31	查看资料
LA431OHPA	Diodes Incorporated	AZ431AZ-ATRG1	2022-08-31	查看资料
LA432NHPA	Diodes Incorporated	AZ431LBZTR-G1	2022-08-31	查看资料
LA4320AAAEA	Diodes Incorporated	AP4320AK6TR-G1	2022-03-30	查看资料
LA4320AAAEB	Diodes Incorporated	AP4320BK6TR-G1	2022-03-30	查看资料
KST43MTF	onsemi	MMBTA43LT1G	2019-07-16	查看资料
ADA4304-3ACPZ-RL	Analog Devices	ADA4304-3ACPZ-R7	2018-02-23	查看资料
ADA4304-4ACPZ-RL	Analog Devices	ADA4304-4ACPZ-R7	2018-02-23	查看资料
ADA4310-1ACPZ-RL	Analog Devices	ADA4310-1ACPZ-R7	2018-02-23	查看资料
ADA4311-1ARHZ-RL	Analog Devices	ADA4311-1ARHZ-R7	2018-02-23	查看资料
ADA4302-4ACP-REEL	Analog Devices	ADA4302-4ACPZ-RL	2010-07-27	查看资料
1SMA43CAT3G	onsemi	1SMA43AT3G		查看资料
OPA4342	Texas Instruments	TLV9004		查看资料
OPA4345	Texas Instruments	OPA4310		查看资料
OPA4347UA	Texas Instruments	TLV9044IDR		查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

108 个原型号

原型号

AD8554ARZ-REEL

Analog Devices Inc.

查看详情 · 22 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

OPA4342UATexas Instruments相似型号

原型号

AD8608ARZ-REEL

Analog Devices Inc.

查看详情 · 23 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

OPA4342UATexas Instruments相似型号

原型号

EL5420CSZ-T7

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 2 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

OPA4354AIDRTexas Instruments相似型号

原型号

ISL28414FBZ-T13

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 18 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

OPA4374AIDRTexas Instruments相似型号

原型号

ISL28433FVZ-T7A

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 7 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

OPA4317IPWRTexas Instruments相似型号

原型号

KA431D

onsemi

查看详情 · 43 条候选

LM431ACMXonsemi直接替代候选

原型号

KA431LZTF

onsemi

查看详情 · 51 条候选

TL431BQLPMTexas Instruments形状、安装及功能匹配候选

原型号

KA431SAMFTF

onsemi

查看详情 · 19 条候选

NCP431AISNT1Gonsemi第三方标注：厂商推荐

原型号

KA431ZTA

onsemi

查看详情 · 51 条候选

TL431IZTSTMicroelectronics形状、安装及功能匹配候选

技术资料参考

芯片技术资料

267 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

SIA436DJ-T1-GE3

Vishay / Siliconix

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 8 V、连续漏极电流（Id） 12 A，采用 SC-70-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

查看技术资料

SIA436DJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 8 V、连续漏极电流（Id） 12 A，采用 SC-70-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs

查看技术资料

SIA436DJ-T4-GE3

Vishay / Siliconix

主要参数包括通道数 1 个通道、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 8 V、连续漏极电流（Id） 12 A、漏源导通电阻（Rds On） 9.4 mOhms，采用 SC-70-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

查看技术资料

SIA4371EDJ-T1-GE3

Vishay / Siliconix

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 6.4 A、漏源导通电阻（Rds On） 45 mOhms，采用 SC-70-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs

查看技术资料

SIA437DJ-T1-GE3

Vishay / Siliconix

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 20 V、连续漏极电流（Id） 29.7 A，采用 PowerPAK-SC70-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

查看技术资料

SIA437DJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 20 V、连续漏极电流（Id） 29.7 A，采用 SC-70-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs

查看技术资料

SIA438EDJ-T1-GE3

Vishay / Siliconix

主要参数包括技术 Si、商品名称 TrenchFET、高度 0.75 mm、长度 2.05 mm、宽度 2.05 mm、型号别名 SIA438EDJ-GE3，采用 PowerPAK-SC70-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

查看技术资料

SMA43

MACOM

RF Amplifier 100-3200MHz NF 7.0dB Gain 11.5dB

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier

查看技术资料

TCA4307DGKR

Texas Instruments

主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.3～5.5 V、接口类型 I2C、产品 Buffers、传播延迟时间 70 ns，采用 VSSOP-8 封装。

半导体 > Interface ICs > Interface - Signal Buffers, Repeaters

查看技术资料

TCA4307DRGR

Texas Instruments

主要参数包括最大时钟频率 14 kHz、通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.3 V、工作电源电压 2.3～5.5 V、输出电流 50 mA，采用 SON-8 封装。

半导体 > Interface ICs > Interface - Signal Buffers, Repeaters

查看技术资料