AD8615AUJZ-REEL
Analog Devices Inc.
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- OPA365AQDBVRQ1Texas Instruments相似型号
来源:第三方数据源非原厂公告
Analog Devices Inc.
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Renesas Electronics Corporation
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated
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onsemi
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Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
ABLIC
主要参数包括输出电压 3.6 V、输出电流 17.5 mA、开关频率 180 kHz、输出数 1 Output、占空比(最大值) 100 %、输入电压 2.5~10 V,采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching ControllersABLIC
主要参数包括输出电压 3.6 V、输出电流 17.5 mA、开关频率 180 kHz、输出数 1 Output、占空比(最大值) 100 %、输入电压 2.5~10 V,采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching ControllersABLIC
该型号为低压差线性稳压器(LDO),主要参数包括输出电压 3.6 V、输出电流 150 mA、输出类型 Fixed、输出数 1 Output、极性 Positive、输入电压(最大值) 10 V,采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsVishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 30 V、连续漏极电流(Id) 40 A,采用 PowerPAK-SO-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsMACOM
RF Amplifier 10-2000MHz NF 5.5dB Gain 16.5dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierMACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierMACOM
RF Amplifier 10-2600MHz NF 7.0dB Gain 15.0dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierMACOM
主要参数包括原产国家或地区 TH。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierVishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 40 V、连续漏极电流(Id) 350 A,采用 PowerPAK SO-8L 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETVishay Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 40 V、连续漏极电流(Id) 350 A,采用 PowerPAK-SO-8L-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs