PBSS4160DS-QH
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934664887125。
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PBSS4160DS-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934664887115。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4160DSH
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TSOP-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4160DSZ
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q101，采用 TSOP-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4160PAN,115
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 90 mV，采用 DFN-2020-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4160PAN-QX
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该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 1.5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 DFN2020-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4160PANP,115
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该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 90 mV, - 125 mV，采用 DFN-2020-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4160PANP-QX
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该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 1.5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 DFN-2020-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4160PANPSX
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该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 90 mV, - 125 mV，采用 DFN-2020-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4160PANS-QX
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该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 1.5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 DFN2020-6 封装。
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