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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

3 个原型号
原型号

ADC0808S250HW/C1:1

NXP USA Inc.

查看详情 · 1 条候选
  • ADC0808S250HW/C1:5Renesas Electronics Corporation直接替代候选
原型号

NCP163AFCT250T2G

onsemi

查看详情 · 2 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • NCP160BFCS250T2Gonsemi参数相近
原型号

SN65LVDS250DBTRG4

Texas Instruments

查看详情 · 4 条候选
  • SN65LVDS250DBTRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐

技术资料参考

芯片技术资料

342 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

PS2501A-1-M-A

Renesas Electronics

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 30 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 封装。

半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output Optocouplers
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PS2501A-1-Q-A

Renesas Electronics

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 30 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 封装。

半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output Optocouplers
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PS2501A-1-W-A

Renesas Electronics

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 30 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 封装。

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PS2501AL-1-A

Renesas Electronics

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 30 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 Gull Wing 封装。

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PS2501AL-1-F3-A

Renesas Electronics

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 30 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 Gull Wing 封装。

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PS2501AL-1-F3-H-A

Renesas Electronics

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 30 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 Gull Wing 封装。

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PS2501AL-1-F3-L-A

Renesas Electronics

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 30 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 Gull Wing 封装。

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PS2501AL-1-F3-W-A

CEL

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 30 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 5000 Vrms。

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PS2501AL-1-F3-W-A

Renesas Electronics

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 30 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 Gull Wing 封装。

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PS2501AL-1-H-A

Renesas Electronics

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流（If） 30 mA、最大集电极－发射极电压 70 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 5000 Vrms，采用 DIP-4 Gull Wing 封装。

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