RS1KL R3G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括产品 Rectifiers，采用 $0.225 封装。
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芯片技术资料
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RS1KL RQ
Taiwan Semiconductor
主要参数包括产品 Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1KL RQG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 800 mA、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 Sub SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1KL RUG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 0.8 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1KL RVG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 0.8 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1KLHR2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、产品 Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1KLHR2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 800 mA、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 Sub SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1KLHR3
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 800 mA、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 Sub SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1KLHR3G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、产品 Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1KLHRQ
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 800 mA、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 Sub SMA-2 封装。
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