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原厂资料

1 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号资料
LC651104N-4M85-TLM-Eonsemi
  • LC872H08A
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

3 个原型号
原型号

CS4352-CZZ

Cirrus Logic Inc.

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命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • WM8523GEDTCirrus Logic Inc.相似型号
原型号

WM1824CGEFL/V

Cirrus Logic Inc.

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命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • WM8524CGEDTCirrus Logic Inc.相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

233 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

TQM6M4050

Qorvo

主要参数包括电源电压（最大值） 4.5 V、电源电压（最小值） 3 V、工作频率 850～900 MHz、类型 Transmitter、型号别名 1076340。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Transmitter
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TQM7M5013

Qorvo

主要参数包括湿敏性 是、型号别名 1077563。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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TSM850N06CX RFG

Taiwan Semiconductor

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 3 A，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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TSM8568CS (N) RLG

Taiwan Semiconductor

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 15 A，采用 SOP-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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TSM8568CS (P) RLG

Taiwan Semiconductor

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 13 A，采用 SOP-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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TSM8568CS RLG

Taiwan Semiconductor

主要参数包括技术 Si。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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TSM8568CV RGG

Taiwan Semiconductor

主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel, P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 4.5 A, 5.7 A、漏源导通电阻（Rds On） 17 mOhms, 33 mOhms，采用 PDFN33-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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TSM8588CS RLG

Taiwan Semiconductor

主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel、晶体管极性 N-Channel, P-Channel、漏源击穿电压（Vds） - 60 V, 60 V、连续漏极电流（Id） - 4 A, 5 A，采用 SOP-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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TSM8588CV RGG

Taiwan Semiconductor

主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel, P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 6.6 A, 8.2 A、漏源导通电阻（Rds On） 98 mOhms, 168 mOhms，采用 PDFN33-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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TSM85N10CZ C0G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 81 A，采用 TO-220-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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