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Infineon Technologies
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PIC32MZ2048ECG124-I/TL
Microchip Technology
该型号为32 位微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、程序存储容量 2 MB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 97 个输入／输出、定时器／计数器数 9 个定时器，采用 VTLA-124 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUPIC32MZ2048ECG124T-I/TL
Microchip Technology
该型号为32 位微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、程序存储容量 2 MB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 97 个输入／输出、定时器／计数器数 9 个定时器，采用 VTLA-124 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUPIC32MZ2048ECG144-E/PH
Microchip Technology
该型号为32 位微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、程序存储容量 2 MB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 120 个输入／输出、定时器／计数器数 9 个定时器，采用 TQFP-144 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUPIC32MZ2048ECG144-E/PL
Microchip Technology
该型号为32 位微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、程序存储容量 2 MB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 120 个输入／输出、定时器／计数器数 9 个定时器，采用 LQFP-144 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUPIC32MZ2048ECG144-I/PH
Microchip Technology
该型号为32 位微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、程序存储容量 2 MB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 120 个输入／输出、定时器／计数器数 9 个定时器，采用 TQFP-144 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUPIC32MZ2048ECG144-I/PL
Microchip Technology
该型号为32 位微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、程序存储容量 2 MB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 120 个输入／输出、定时器／计数器数 9 个定时器，采用 LQFP-144 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUPIC32MZ2048ECG144T-I/PH
Microchip Technology
该型号为32 位微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、程序存储容量 2 MB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 120 个输入／输出、定时器／计数器数 9 个定时器，采用 TQFP-144 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUPIC32MZ2048ECG144T-I/PL
Microchip Technology
该型号为32 位微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、程序存储容量 2 MB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 120 个输入／输出、定时器／计数器数 9 个定时器，采用 LQFP-144 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUPM100CG1A065
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 6-Pack、最大集电极－发射极电压（VCEO） 650 V、集电极－发射极饱和电压 1.25 V、25°C 时连续集电极电流 100 A。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesPM100CG1AP065
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT Modules