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芯片技术资料

216 条型号记录

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Microchip Technology

主要参数包括电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 3.3 V、输出数 30 Output、输出电平 Differential, CMOS、输入电平 Differential, Single-Ended、最小工作温度 - 40 C，采用 VQFN-64 封装。

半导体 > Clock & Timer ICs > Clock Synthesizer / Jitter Cleaner

Microchip / Microsemi

主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 600 V、集电极－发射极饱和电压 1.5 V、25°C 时连续集电极电流 150 A，采用 SP1-12 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Modules

Nexperia

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 20 V、连续漏极电流（Id） 1.4 A、漏源导通电阻（Rds On） 160 mOhms，采用 DFN-0603-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs

Nexperia

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 820 mA、漏源导通电阻（Rds On） 250 mOhms。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs

Nexperia

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 20 V、连续漏极电流（Id） 900 mA、漏源导通电阻（Rds On） 500 mOhms，采用 DFN-0603-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs

Nexperia

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 300 mA，采用 DFN-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs