MP8001DS-LF
Monolithic Power Systems (MPS)
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 48 V、类型 Powered Device - PD、标准 802.3af、限流值 420 mA、导通电阻(最大值) 1.2 Ω、最小工作温度 - 40 C,采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Power Switch ICs - POE / LAN技术资料参考
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Monolithic Power Systems (MPS)
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 48 V、类型 Powered Device - PD、标准 802.3af、限流值 420 mA、导通电阻(最大值) 1.2 Ω、最小工作温度 - 40 C,采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Power Switch ICs - POE / LANMonolithic Power Systems (MPS)
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 57 V、类型 Powered Device - PD、标准 802.3af、限流值 420 mA、导通电阻(最大值) 1.2 Ω、最小工作温度 - 40 C,采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Power Switch ICs - POE / LANMonolithic Power Systems (MPS)
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 48 V、类型 Powered Device - PD、标准 802.3af、限流值 420 mA、导通电阻(最大值) 1.2 Ω、最小工作温度 - 40 C,采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Power Switch ICs - POE / LANMurata Electronics
该型号为开关稳压器,主要参数包括输出数 1 Output、输入电压(最小值) 1.8 V、输入电压(最大值) 6 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 日本。
半导体 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching Voltage RegulatorsMurata Electronics
该型号为开关稳压器,主要参数包括输出数 1 Output、输入电压(最小值) 1.8 V、输入电压(最大值) 6 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 日本。
半导体 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching Voltage RegulatorsMurata Electronics
该型号为开关稳压器,主要参数包括输出数 1 Output、输入电压(最小值) 1.8 V、输入电压(最大值) 6 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 日本。
半导体 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching Voltage RegulatorsMurata Electronics
该型号为开关稳压器,主要参数包括输出数 1 Output、输入电压(最小值) 1.8 V、输入电压(最大值) 6 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 日本。
半导体 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching Voltage RegulatorsNordic Semiconductor
主要参数包括工作电源电压 1.9~3.6 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、最大数据速率 1 Mb/s、类型 Bluetooth、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C,采用 QFN-32 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF System on a Chip - SoCNordic Semiconductor
主要参数包括工作电源电压 1.9~3.6 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、最大数据速率 1 Mb/s、类型 Bluetooth、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C,采用 QFN-32 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF System on a Chip - SoCNordic Semiconductor
主要参数包括工作电源电压 1.9~3.6 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、最大数据速率 1 Mb/s、类型 Bluetooth、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C,采用 QFN-32 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF System on a Chip - SoC