PBSS4140T,235
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该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 TO-236AB-3 封装。
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PBSS4140T-QR
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该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4140T-QVL
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该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934663609235。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4140U,115
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该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 500 mV，采用 SC-70-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4140U,135
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该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 UMT-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4140U-QF
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该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669954135。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4140U-QX
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该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、型号别名 934669954115。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4160DPN,115
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该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 2 A，采用 SC-74-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4160DPN-QX
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该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 TSOP-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4160DS,115
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该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV，采用 SC-74-6 封装。
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