CS4352-CZZ
Cirrus Logic Inc.
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- WM8523GEDTCirrus Logic Inc.相似型号
技术资料参考
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Qorvo
主要参数包括工作电源电压 3.6 V、工作频率 5.18~5.825 GHz、技术 硅、类型 802.11 a/n/ac WLAN、噪声系数(NF) 2.5 dB、工作电源电流 100 mA,采用 DFN-8 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Front EndQorvo
主要参数包括工作电源电压 3~5 V、工作频率 4.9~5.85 GHz、类型 802.11 a/n/ac WLAN、噪声系数(NF) 2.5 dB、工作电源电流 10 mA、最大工作温度 + 85 C,采用 DFN-8 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Front EndQorvo
主要参数包括工作电源电压 3.6 V、工作频率 4.9~5.85 GHz、类型 Wi-Fi、噪声系数(NF) 2.5 dB、工作电源电流 10 mA、最大工作温度 + 85 C,采用 DFN-8 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Front EndQorvo
主要参数包括型号别名 RFFM8592。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Front EndQorvo
主要参数包括工作频率 4.9~5.85 GHz、技术 硅、类型 802.11a/g/n/ac WLAN,采用 QFN-16 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Front EndQorvo
RF Front End 5 GHz FEM, WiFi
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Front EndRectron
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETVishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 150 V、连续漏极电流(Id) 85 A,采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETVishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 150 V、连续漏极电流(Id) 85 A,采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETVishay Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 150 V、连续漏极电流(Id) 85 A,采用 D2PAK-3 (TO-263-3) 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs