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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

3 个原型号
原型号

IM4G16D3FDBG-107

Intelligent Memory Ltd.

查看详情 · 2 条候选
  • AS4C256M16D3LC-10BCNAlliance Memory, Inc.参数相近
原型号

IS43TR85120AL-107MBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

查看详情 · 4 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • IM4G08D3FDBG-107Intelligent Memory Ltd.参数相近
原型号

TMPM4G6FDFG(DBB)

Toshiba Semiconductor and Storage

查看详情 · 1 条候选
  • TMPM4GNFDFGToshiba Semiconductor and Storage第三方标注：厂商推荐

技术资料参考

芯片技术资料

409 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

HS3JBHM4G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 100 A，采用 SMB-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
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HS3KB M4G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 100 A，采用 SMB-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
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HS3KBHM4G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 100 A，采用 SMB-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
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HS3MB M4G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1000 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 100 A，采用 SMB-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
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HS3MBHM4G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1000 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 100 A，采用 SMB-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
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IM4G08D3FDBG-107

Intelligent Memory

主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。

半导体 > Memory ICs > DRAM
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IM4G08D3FDBG-107I

Intelligent Memory

主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 8 位，采用 FBGA-78 封装。

半导体 > Memory ICs > DRAM
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IM4G16D3FDBG-107

Intelligent Memory

主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。

半导体 > Memory ICs > DRAM
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IM4G16D3FDBG-107I

Intelligent Memory

主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 4 Gbit、电源电压（最小值） 1.283 V、电源电压（最大值） 1.45 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-96 封装。

半导体 > Memory ICs > DRAM
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IM4G16L4HFBG-046I

Intelligent Memory

主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。

半导体 > Memory ICs > DRAM
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