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Lattice Semiconductor Corporation
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
RM4A3P303L
Rectron
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 4.3 A，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSDM4A30EP3-7B
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括产品 Schottky Diodes、原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSDM4A40EP3-7B
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSM4A
MACOM
主要参数包括最大工作频率 1500 MHz、最大工作温度 + 100 C、最小工作温度 - 54 C。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerTLC27M4ACD
Texas Instruments
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3～16 V、技术 LinCMOS、放大器类型 Precision Amplifier，采用 SOIC-14 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Precision AmplifiersTLC27M4ACDG4
Texas Instruments
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3～16 V、技术 LinCMOS、放大器类型 CMOS Amplifier，采用 SOIC-14 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Precision AmplifiersTLC27M4ACDR
Texas Instruments
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3～16 V、技术 LinCMOS、放大器类型 Precision Amplifier，采用 SOIC-14 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Precision AmplifiersTLC27M4ACDRG4
Texas Instruments
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3～16 V、技术 LinCMOS、放大器类型 Precision Amplifier，采用 SOIC-14 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Precision AmplifiersTLC27M4ACN
Texas Instruments
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3～16 V、技术 LinCMOS、放大器类型 Precision Amplifier，采用 PDIP-14 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Precision AmplifiersTLC27M4ACNE4
Texas Instruments
主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3～16 V、技术 LinCMOS、放大器类型 CMOS Amplifier，采用 PDIP-14 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Precision Amplifiers