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原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
2DD2656-7	Diodes Incorporated	DSS4140U-7	2023-02-22	查看资料
DNLS160V-7	Diodes Incorporated	DSS4160V-7	2021-03-15	查看资料

技术资料参考

芯片技术资料

423 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

PBSS4130PANP-QX

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V，采用 DFN2020-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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PBSS4130QA-QZ

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区马来西亚、型号别名 934669909147。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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PBSS4130QAZ

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1010D-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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PBSS4130T,215

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 TO-236AB-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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PBSS4130T-QR

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区马来西亚、型号别名 934669945215。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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PBSS4140DPN,115

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 TSOP-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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PBSS4140DPN-QF

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SC-74-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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PBSS4140DPN-QX

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SC-74-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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PBSS4140DPNF

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 TSOP-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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PBSS4140T,215

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 TO-236AB-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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