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原厂资料

13 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
71V67903S80PFGRenesas
  • 71V67903S80BG
2022-02-28查看资料
71V67903S80PFG8Renesas
  • 71V67903S80BG8
2022-02-28查看资料
71V67903S80PFGIRenesas
  • 71V67903S80BQI
2022-02-28查看资料
71V67903S80PFGI8Renesas
  • 71V67903S80BQI8
2022-02-28查看资料
ADXRS300WABGZA-RLAnalog Devices
  • ADXRS800WBRGZ-RL
2018-02-23查看资料
42019293Infineon
  • S29GL064S80DHB020
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7GA6Y0020Infineon
  • S29GL064S80TFB040
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A2C00045435AInfineon
  • S29GL064S80BHB043
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A2C00045440AInfineon
  • S29GL064S80BHB043
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FSS804-TL-Eonsemi
  • NTMS4802N
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MPS8098Gonsemi
  • MPS8099G
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MPS8099RLRMGonsemi
  • MPS8099RLRAG
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STPS1045HRSTMicroelectronics
  • STPS80A45CHR
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

49 个原型号
原型号

71V2546S100PFG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V2546S133PFG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V2556S100PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V2556S166PFG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V25761S183PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V3557S80PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V2556S150PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V35761S166BG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80BGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V35761S166PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V35761S183BGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80BGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V3577S75BGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80BGIRenesas Electronics Corporation相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

649 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

71V67903S80PFG8

IDT

主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 9 Mbit、电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR，采用 TQFP-100 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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71V67903S80PFGI

IDT

主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、存储容量 9 Mbit、电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR，采用 TQFP-100 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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71V67903S80PFGI8

IDT

主要参数包括最大时钟频率 117 MHz、存储容量 9 Mbit、电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR，采用 TQFP-100 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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8430S803BYILF

IDT

主要参数包括高度 1 mm、长度 7 mm、宽度 7 mm、湿敏性 是、型号别名 8430S803I，采用 PTQFP-48 封装。

半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Generators & Support Products
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8430S803BYILFT

IDT

主要参数包括高度 1 mm、长度 7 mm、宽度 7 mm、湿敏性 是、型号别名 8430S803I，采用 PTQFP-48 封装。

半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Generators & Support Products
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AD2S80AAD

Analog Devices

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10.8～13.2 V、模拟电源电压 12 V、数字电源电压 5 V、接口类型 Parallel、类型 R/D onverter，采用 DIP-40 封装。

半导体 > 集成电路 > Data Converter ICs > Data Acquisition ADCs/DACs - Specialized
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AD2S80ABD

Analog Devices

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10.8～13.2 V、模拟电源电压 12 V、数字电源电压 5 V、接口类型 Parallel、类型 R/D onverter，采用 DIP-40 封装。

半导体 > 集成电路 > Data Converter ICs > Data Acquisition ADCs/DACs - Specialized
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AD2S80AJD

Analog Devices

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 13.2 V、模拟电源电压 12 V、数字电源电压 5 V、接口类型 Parallel、类型 R/D onverter，采用 CERDIP-40 封装。

半导体 > 集成电路 > Data Converter ICs > Data Acquisition ADCs/DACs - Specialized
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AD2S80AKD

Analog Devices

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10.8～13.2 V、模拟电源电压 12 V、数字电源电压 5 V、接口类型 Parallel、类型 R/D onverter，采用 DIP-40 封装。

半导体 > 集成电路 > Data Converter ICs > Data Acquisition ADCs/DACs - Specialized
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AD2S80ALD

Analog Devices

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 10.8～13.2 V、模拟电源电压 12 V、数字电源电压 5 V、接口类型 Parallel、类型 R/D onverter，采用 DIP-40 封装。

半导体 > 集成电路 > Data Converter ICs > Data Acquisition ADCs/DACs - Specialized
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