BCM53158XMB0KFBG
Broadcom Limited
- BCM53158XMB1KFBGBroadcom Limited直接替代候选
技术资料参考
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Nexperia
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极-发射极电压(VCEO) - 80 V、集电极-基极电压(VCBO) - 100 V、发射极-基极电压(VEBO) - 5 V、集电极-发射极饱和电压 - 500 mV,采用 TSOP-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTROHM Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 400 kHz、输入电压 9~35 V、电源电流(最大值) 1 mA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C,采用 DIP7AK-7 封装。
半导体 > 集成电路 > Driver ICs > LED Lighting DriversNexperia
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 60 V、连续漏极电流(Id) 17 A,采用 LFPAK33-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETCentral Semiconductor
主要参数包括额定重复断态电压(VDRM) 400 V、VDRM 下断态漏电流(IDRM) 1 uA、通态有效值电流(It RMS) 800 mA、正向电压(Vf) 1.7 V、门极触发电压(Vgt) 800 mV、门极触发电流(Igt) 200 uA,采用 TLM532 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRsCentral Semiconductor
主要参数包括额定重复断态电压(VDRM) 400 V、VDRM 下断态漏电流(IDRM) 1 uA、通态有效值电流(It RMS) 800 mA、正向电压(Vf) 1.7 V、门极触发电压(Vgt) 800 mV、门极触发电流(Igt) 200 uA,采用 TLM532 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRsRectron
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压(Vr) 30 V、正向电流(If) 5 A、配置 Single、正向电压(Vf) 0.55 V、最大浪涌电流 150 A,采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRectron
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压(Vr) 30 V、正向电流(If) 5 A、配置 Single、正向电压(Vf) 0.55 V、最大浪涌电流 150 A,采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersTexas Instruments
该型号为开关稳压器,主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、工作电源电流 23 uA。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching Voltage RegulatorsTexas Instruments
该型号为开关稳压器,主要参数包括电源电压(最小值) 3.55 V、输出电压 3.3 V、输出电流 650 mA、工作温度范围 - 40 C to + 150 C、开关频率 2.1 MHz、类型 Synchronous Buck Regulator,采用 WSON-10 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching Voltage RegulatorsTexas Instruments
该型号为开关稳压器,主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、工作电源电流 23 uA。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching Voltage Regulators