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原厂资料

16 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
LA431NHPADiodes Incorporated
  • AZ431BZ-ATRG1
2022-08-31查看资料
LA431NYPADiodes Incorporated
  • AS431BRTR-G1
2022-08-31查看资料
LA431OHPADiodes Incorporated
  • AZ431AZ-ATRG1
2022-08-31查看资料
LA432NHPADiodes Incorporated
  • AZ431LBZTR-G1
2022-08-31查看资料
LA4320AAAEADiodes Incorporated
  • AP4320AK6TR-G1
2022-03-30查看资料
LA4320AAAEBDiodes Incorporated
  • AP4320BK6TR-G1
2022-03-30查看资料
KST43MTFonsemi
  • MMBTA43LT1G
2019-07-16查看资料
ADA4304-3ACPZ-RLAnalog Devices
  • ADA4304-3ACPZ-R7
2018-02-23查看资料
ADA4304-4ACPZ-RLAnalog Devices
  • ADA4304-4ACPZ-R7
2018-02-23查看资料
ADA4310-1ACPZ-RLAnalog Devices
  • ADA4310-1ACPZ-R7
2018-02-23查看资料
ADA4311-1ARHZ-RLAnalog Devices
  • ADA4311-1ARHZ-R7
2018-02-23查看资料
ADA4302-4ACP-REELAnalog Devices
  • ADA4302-4ACPZ-RL
2010-07-27查看资料
1SMA43CAT3Gonsemi
  • 1SMA43AT3G
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OPA4342Texas Instruments
  • TLV9004
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OPA4345Texas Instruments
  • OPA4310
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OPA4347UATexas Instruments
  • TLV9044IDR
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

108 个原型号
原型号

AD8554ARZ-REEL

Analog Devices Inc.

查看详情 · 22 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • OPA4342UATexas Instruments相似型号
原型号

AD8608ARZ-REEL

Analog Devices Inc.

查看详情 · 23 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • OPA4342UATexas Instruments相似型号
原型号

EL5420CSZ-T7

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 2 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • OPA4354AIDRTexas Instruments相似型号
原型号

ISL28414FBZ-T13

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 18 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • OPA4374AIDRTexas Instruments相似型号
原型号

ISL28433FVZ-T7A

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 7 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • OPA4317IPWRTexas Instruments相似型号
原型号

KA431LZTF

onsemi

查看详情 · 51 条候选
  • TL431BQLPMTexas Instruments形状、安装及功能匹配候选
原型号

KA431ZTA

onsemi

查看详情 · 51 条候选
  • TL431IZTSTMicroelectronics形状、安装及功能匹配候选

技术资料参考

芯片技术资料

267 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

PZS51A43CS_R1_00001

Panjit

该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 43 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最大反向漏电流（Ir） 10 nA、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、配置 Single，采用 SOD-323-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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QPA4346D

Qorvo

主要参数包括工作电源电压 24 V、工作频率 37.5～42.5 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 General Purpose Amplifiers、工作电源电流 140 mA、增益 16 dB。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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QPA4363ASR

Qorvo

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.2 V、工作频率 DC to 4 GHz、测试频率 1.95 GHz、技术 SiGe、类型 HBT MMIC Amplifier，采用 SOT-363-6 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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QPA4363ATR7

Qorvo

主要参数包括型号别名 QPA4363A。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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QPA4363CSR

Qorvo

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、工作频率 50 MHz to 4 GHz、测试频率 2.4 GHz、技术 SiGe、类型 MMIC Amplifier，采用 SOT-363-6 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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QPA4363CTR7

Qorvo

主要参数包括型号别名 QPA4363C。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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S-1002CA43I-M5T1U

ABLIC

主要参数包括电源电压（最大值） 10 V、电源电压（最小值） 0.95 V、类型 Voltage Detectors、输出类型 Active Low, CMOS、阈值电压 4.3 V、监控输入数 1 Input，采用 SOT-23-5 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory Circuits
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S-1003CA43I-I6T1U

ABLIC

主要参数包括类型 Voltage Detectors，采用 SNT-6A-6 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory Circuits
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S-1003CA43I-M5T1U

ABLIC

主要参数包括类型 Voltage Detectors、单件重量 0.003951 oz，采用 SOT-23-5 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory Circuits
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S-1003NA43I-I6T1U

ABLIC

主要参数包括类型 Voltage Detectors，采用 SNT-6A-6 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory Circuits
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