MM3Z12VST1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 12 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 10 mV/K、稳压管电流 0.1 uA、稳压管阻抗（Zz） 25 Ω，采用 SOD-323-2 封装。
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MM3Z13VST1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 13 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 11 mV/K、稳压管电流 0.1 uA、稳压管阻抗（Zz） 30 Ω，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMM3Z15VST1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 15 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 12.7 mV/K、稳压管电流 0.1 uA、稳压管阻抗（Zz） 40 Ω，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMM3Z16VST1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 16 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 14 mV/K、稳压管电流 0.05 uA、稳压管阻抗（Zz） 40 Ω，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMM3Z18VST1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 18 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 16 mV/K、稳压管电流 0.05 uA、稳压管阻抗（Zz） 45 Ω，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMM3Z20VST1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 20 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 18 mV/K、稳压管电流 0.05 uA、稳压管阻抗（Zz） 55 Ω，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMM3Z22VST1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 22 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 20 mV/K、稳压管电流 0.05 uA、稳压管阻抗（Zz） 55 Ω，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMM3Z24VST1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 24 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 22 mV/K、稳压管电流 0.05 uA、稳压管阻抗（Zz） 70 Ω，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMM3Z27VST1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 27 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 25.3 mV/K、稳压管电流 0.05 uA、稳压管阻抗（Zz） 80 Ω，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMM3Z30VST1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 30 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 29.4 mV/K、稳压管电流 0.05 uA、稳压管阻抗（Zz） 80 Ω，采用 SOD-323-2 封装。
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