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原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
FUS1DD_HF	Diodes Incorporated	HS1DDF-13	2025-07-23	查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

1 个原型号

原型号

NX3P2902BUKZ

NXP USA Inc.

查看详情 · 2 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

BUS1DJC0GWZ-E2Rohm Semiconductor相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

43 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

US1D-13-F

Diodes Incorporated

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。

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US1D-E3/5AT

Vishay Semiconductors

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers

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US1D-E3/61T

Vishay Semiconductors

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers

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US1D-E3\5AT

Vishay Semiconductors

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA 封装。

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US1D-HF

Comchip Technology

主要参数包括类型 Ultra Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA/DO-214AC 封装。

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US1D-M3/5AT

Vishay Semiconductors

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA 封装。

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US1D-M3/61T

Vishay Semiconductors

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers

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US1D-M3\5AT

Vishay

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers

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US1D-M3\61T

Vishay

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers

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US1D-TP

Micro Commercial Components (MCC)

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、最大浪涌电流 30 A、反向电流（Ir） 10 uA，采用 DO-214AC 封装。

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