US1A R3G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 50 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC-2 封装。
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芯片技术资料
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US1A-13-F
Diodes Incorporated
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 50 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersUS1A-E3/5AT
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 50 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersUS1A-E3/61T
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 50 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersUS1A-M3/5AT
Vishay Semiconductors
主要参数包括产品 Rectifiers，采用 SMA 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersUS1A-M3/61T
Vishay Semiconductors
主要参数包括产品 Rectifiers，采用 SMA 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersUS1A-TP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 50 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、最大浪涌电流 30 A、反向电流（Ir） 10 uA，采用 DO-214AC 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersUS1AFA
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 50 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 950 mV、最大浪涌电流 30 A，采用 SOD-123FA 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersUS1AFL-TP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括类型 Ultra Fast Recovery Rectifiers、原产国家或地区 中国、产品 Rectifiers、单件重量 0.001235 oz。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersUS1AHE3_A/H
Vishay Semiconductors
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、产品 Rectifiers，采用 SMA 封装。
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