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原厂资料

1 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
KSH29CTFonsemi
  • TIP29CG
2019-07-16查看资料

技术资料参考

芯片技术资料

22 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

TIP29AG

ON Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 60 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V、集电极-发射极饱和电压 0.7 V,采用 TO-220-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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TIP29AG

onsemi

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极-发射极电压(VCEO) 60 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V,采用 TO-220-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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TIP29B

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极-发射极电压(VCEO) 80 V、集电极-基极电压(VCBO) 80 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V、集电极-发射极饱和电压 0.7 V、最大直流集电极电流 1 A,采用 TO-220-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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TIP29B PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 80 V、集电极-基极电压(VCBO) 80 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V,采用 TO-220-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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TIP29B-BP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 80 V、集电极-基极电压(VCBO) 80 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V、最大直流集电极电流 1 A,采用 TO-220-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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TIP29BG

ON Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 80 V、集电极-基极电压(VCBO) 80 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V、集电极-发射极饱和电压 0.7 V,采用 TO-220-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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TIP29BG

onsemi

该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极-发射极电压(VCEO) 80 V、集电极-基极电压(VCBO) 80 V,采用 TO-220-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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TIP29C

STMicroelectronics

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 100 V、集电极-基极电压(VCBO) 100 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V、集电极-发射极饱和电压 0.7 V,采用 TO-220-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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TIP29C

Central Semiconductor

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极-发射极电压(VCEO) 100 V、集电极-基极电压(VCBO) 100 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V、集电极-发射极饱和电压 0.7 V、最大直流集电极电流 1 A,采用 TO-220-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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TIP29C-BP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极-发射极电压(VCEO) 100 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V、最大直流集电极电流 3 A、最大工作温度 + 150 C、连续集电极电流 1 A,采用 TO-220-3 封装。

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