SS110 R2
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 1 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 0.8 V，采用 DO-214AC-2 封装。
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SS110 R2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 1 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 0.8 V、正向浪涌电流（Ifsm） 40 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSS110 R3
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 1 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 0.8 V、正向浪涌电流（Ifsm） 40 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSS110 R3G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 1 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 0.8 V、正向浪涌电流（Ifsm） 40 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSS110-HF
Comchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 1 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 850 mV、正向浪涌电流（Ifsm） 25 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSS110-LTP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 1 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 0.85 V、正向浪涌电流（Ifsm） 30 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSS110-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 1 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 0.85 V，采用 DO-214AC 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSS110ALH
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括产品 Schottky Rectifiers、认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSS110E-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 1 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 0.85 V、正向浪涌电流（Ifsm） 30 A，采用 SMAE-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSS110F-HF
Comchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、配置 Single、正向电流（If） 1 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 850 mV，采用 SMAF-2 封装。
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