1SMA120Z R2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管。
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芯片技术资料
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1SMA120Z R3
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 120 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 550 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA120Z R3G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA120ZHM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 120 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 550 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA120ZHR2
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA120ZHR2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA120ZHR3
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA120ZHR3G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMSC017SMA120B
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 113 A、漏源导通电阻（Rds On） 22 mOhms，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsMSC017SMA120B4
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 113 A、漏源导通电阻（Rds On） 17.6 mOhms，采用 TO-247-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETs