SMA180
MACOM
RF Amplifier 10-500MHz NF 3.4dB Gain 16.5dB
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SMA181
MACOM
RF Amplifier 10-250MHz NF 3.8dB Gain 16.5dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierSMA19-1
MACOM
RF Amplifier 10-1000MHz NF 6.0dB Gain 11.5dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier1PGSMA110Z M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 110 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 8.9 mA、稳压管阻抗（Zz） 450 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1PGSMA110Z R3G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 110 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 8.9 mA、稳压管阻抗（Zz） 450 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1PGSMA110ZHM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 110 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 8.9 mA、稳压管阻抗（Zz） 450 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1PGSMA110ZHR3G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 110 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 8.9 mA、稳压管阻抗（Zz） 450 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1PGSMA120Z M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 120 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 8.3 mA、稳压管阻抗（Zz） 550 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1PGSMA120Z R3G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 120 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 8.3 mA、稳压管阻抗（Zz） 550 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1PGSMA120ZHM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 120 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 8.3 mA、稳压管阻抗（Zz） 550 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes