SBR10100CTB-13
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 175 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V，采用 TO-263-3 封装。
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原厂资料
21 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| SBR10100CTB-13-G | Diodes Incorporated |
| 2026-05-05 | 查看资料 |
| SBR10100CTB | Diodes Incorporated |
| 2025-07-23 | 查看资料 |
| SBR10200CTB | Diodes Incorporated |
| 2025-07-23 | 查看资料 |
| SBR1040CTB | Diodes Incorporated |
| 2025-07-23 | 查看资料 |
| SBR10U200CTB-G | Diodes Incorporated |
| 2025-07-23 | 查看资料 |
| SBR10100CTL-13-2084 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR10200CTFP-2084 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR1045CTL-13-2084 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR12A45SD1-T-01 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR12E45LH1-13 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR12E45LH1-13R | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR15U100CTL-13-2223 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR10150CTFP | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR10150CTFP-JT | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR10200CTB-13 | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR10200CTFP-JT | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR1045SP5-7D | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR10E45P5-7D | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR10U100CTFP-JT | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR10U200CTB | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR10U200CTB-13 | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
SBR10100CTFP
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V，采用 ITO-220FP-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBR10100CTL-13
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 175 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 0.84 V，采用 TO-252-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBR10120CTL-13
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 175 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 120 V、正向电压（Vf） 0.88 V，采用 TO-252-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBR10150CT
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 150 V，采用 TO-220AB-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBR10150CTE
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 150 V，采用 TO-262-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBR10150CTFP
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 150 V，采用 ITO-220FP-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBR10150CTFP-G
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、原产国家或地区 中国，采用 ITO-220FP-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBR10150CTL-13
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 150 V、正向电压（Vf） 0.94 V，采用 TO-252-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBR10200CT
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Switching Diode、正向电流（If） 10 A、正向电压（Vf） 900 mV、配置 Dual Common Cathode，采用 TO-220AB-3 封装。
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