SISS40DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括技术 Si、商品名称 TrenchFET, PowerPAK。
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原厂资料
3 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| BAS40DW-04-7-F-2477 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| BAS40DW-05-7-F-2477 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| BAS40DW-06-7-F-2477 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
SISS40DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 36.5 A、漏源导通电阻（Rds On） 21 mOhms，采用 PowerPAK-1212-8S-8 封装。
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