S3DB-TP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、最大浪涌电流 100 A、反向电流（Ir） 10 uA，采用 DO-214AA 封装。
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芯片技术资料
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S3DBHM4G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 80 A，采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersS3DBHR4
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 80 A，采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersS3DBHR4G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 80 A，采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersS3DBHR5
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 80 A，采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersS3DBHR5G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 80 A，采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES3DB
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Super Fast Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 100 A，采用 DO-214AA 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES3DB M4G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.86 V、最大浪涌电流 100 A，采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES3DB R5G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 140 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.86 V、最大浪涌电流 100 A，采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES3DB-13-F
Diodes Incorporated
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 900 mV、最大浪涌电流 100 A，采用 SMB 封装。
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