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原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
VS-VS380BG16D	Vishay	VS-TH380BL16P	2023-05-11	查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

9 个原型号

原型号

2U3836L30QDBVRG4Q1

Texas Instruments

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TPS3809L30MDBVREPTexas Instruments相似型号

原型号

APX810-23SAG-7

Diodes Incorporated

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TPS3809J25DBVRTexas Instruments相似型号

原型号

MAX809RTRG

onsemi

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TPS3809L30DBVRTexas Instruments直接替代候选

原型号

MCP809T-270I/TT

Microchip Technology

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TPS3809L30DBVRTexas Instruments直接替代候选

原型号

TPS3801L30DCKRG4

Texas Instruments

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TPS3801L30DCKRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐

原型号

TPS3805H33QDCKREP

Texas Instruments

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TPS3805H33QDCKRQ1Texas Instruments参数相近

原型号

TPS3808G15DBVTG4

Texas Instruments

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TPS3808G15DBVTTexas Instruments第三方标注：厂商推荐

原型号

TPS3808G30DBVRG4

Texas Instruments

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TPS3808G30DBVRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐

原型号

TPS3808G50QDBVRQ1

Texas Instruments

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TPS3808G50DBVRTexas Instruments参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

180 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

AUIRFS3806TRL

Infineon Technologies

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 43 A，采用 TO-252-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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BTS3800SL

Infineon Technologies

主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、技术 Si、类型 Low Side、产品 Relay Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 SCT-595-5 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers

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BTS3800SLHTSA1

Infineon Technologies

主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、商品名称 HITFET、型号别名 BTS3800SL BTS38SLXT SP000732200、单件重量 0.000491 oz，采用 SCT-595-5 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers

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CAS380M17HM3

Wolfspeed

该型号为半导体器件，主要参数包括技术碳化硅（SiC）、类型 Half Bridge、产品 SiC Modules、正向电压（Vf） 1.6 V、反向电压（Vr） 1.7 kV、栅源电压（Vgs） - 4 V, + 15 V。

半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor Modules

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CAS380M17HM3T

Wolfspeed

主要参数包括原产国家或地区美国。

半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET Modules

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D3S380N65B-U

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V、连续漏极电流（Id） 9.2 A，采用 TO-220-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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D3S380N65E-T

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V、连续漏极电流（Id） 8.5 A，采用 TO-263-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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D3S380N65F-U

主要参数包括技术 Si，采用 TO-220FP-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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FS380R12A6T4PB

Infineon Technologies

主要参数包括原产国家或地区德国、型号别名 FS380R12A6T4BBPSA1。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBTs

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IRFS3806TRLPBF

Infineon / IR

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 43 A，采用 TO-263-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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