S2JA-13-F
Diodes Incorporated
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 1.5 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SMA 封装。
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芯片技术资料
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S2JA-T M2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.96 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersS2JA-T R2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.96 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersS2JA-T R3G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.96 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersS2JAHM2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 1.5 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersS2JAHR3G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 1.5 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES2JA
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、配置 Single、产品 Rectifiers、型号别名 ES2JA F3G、单件重量 0.001199 oz，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES2JA F2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES2JA F2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES2JA F3
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-214AC-2 封装。
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